MOSFET vs BJT
A tranzisztor egy olyan elektronikus félvezető eszköz, amely nagymértékben változó elektromos kimeneti jelet ad a kis bemeneti jelek kis változásaihoz. Ennek a minőségnek köszönhetően a készülék erősítőként vagy kapcsolóként is használható. A tranzisztort az 1950-es években adták ki, és a 20. század egyik legfontosabb találmányának tekinthető, figyelembe véve az IT-hez való hozzájárulást. Ez egy gyorsan fejlődő eszköz, és sokféle tranzisztort vezettek be. A bipoláris csomópontú tranzisztor (BJT) az első típus, a fém-oxid félvezető mező hatású tranzisztor (MOSFET) pedig egy másik, később bevezetett tranzisztortípus.
Bipoláris csomópontú tranzisztor (BJT)
A BJT két PN csomópontból áll (az ap típusú félvezető és az n típusú félvezető összekapcsolásával létrehozott csomópont). Ez a két csomópont három félvezető darab összekapcsolásával jön létre, PNP vagy NPN sorrendben. Ezért kétféle BJT áll rendelkezésre PNP és NPN néven.
Három elektróda csatlakozik ehhez a három félvezető részhez, és a középső vezetéket „alapnak” nevezik. A másik két csomópont az „emitter” és a „collector”.
A BJT-ben a nagy kollektoros emitter (Ic) áramot a kis bázis emitter áram (IB) vezérli, és ezt a tulajdonságot erősítők vagy kapcsolók tervezésére használják. Ezért áramvezérelt eszköznek tekinthető. A BJT-t leginkább erősítő áramkörökben használják.
Fém-oxid félvezető mező hatású tranzisztor (MOSFET)
A MOSFET egyfajta terepi effektus tranzisztor (FET), amely három terminálból áll, amelyek neve „Gate”, „Source” és „Drain”. Itt a leeresztő áramot a kapu feszültsége szabályozza. Ezért a MOSFET feszültségvezérelt eszközök.
A MOSFET négyféle típusban érhető el, például n csatornás vagy p csatornás, kimerülés vagy javítás módban. A lefolyó és a forrás n típusú félvezetőből készül n csatornás MOSFET-ekhez, és hasonlóan a p csatornás eszközökhöz. A kapu fémből készült, és a forrástól és a fémelvezetéssel elválasztott fémoxid segítségével. Ez a szigetelés alacsony energiafogyasztást eredményez, és előnyt jelent a MOSFET-ben. Ezért a MOSFET-et használják a digitális CMOS-logikában, ahol a p- és az n-csatornás MOSFET-eket építőkockaként használják az energiafogyasztás minimalizálása érdekében.
Bár a MOSFET koncepcióját nagyon korán (1925-ben) javasolták, 1959-ben gyakorlatilag a Bell labs-nél hajtották végre.
BJT vs MOSFET
1. A BJT alapvetően áramvezérelt eszköz, bár a MOSFET feszültségvezérelt eszköznek számít.
2. A BJT termináljai emitter, gyűjtő és bázis néven ismertek, míg a MOSFET kaput, forrást és lefolyót tartalmaz.
3. Az új alkalmazások többségében a MOSFET-eket használják, mint a BJT-ket.
4. A MOSFET összetettebb szerkezettel rendelkezik a BJT-hez képest
5. A MOSFET energiafogyasztása hatékony, mint a BJT-k, ezért a CMOS logikájában használják.
